|
|
![]() |
![]() |
![]() |
|
Detektory
półprzewodnikowe: ich typy i własności oraz zastosowania do celów naukowych
i aplikacyjnych
|
![]() |
![]() |
![]() |
|
|
Idea i własności detektorów półprzewodnikowych Zasada
pracy półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego opiera
się na wykorzystaniu właściwości złącza detektorów p-n spolaryzowanego
w kierunku zaporowym. W roku 1951 zaobserwowano, że cząstki, przechodząc
przez germanowe złącze detektorów -n spolaryzowane zaporowo, generują
mierzalny sygnał. Dało to początek zastosowaniom detektorów półprzewodnikowych
w fizyce cząstek. Dlaczego
półprzewodniki? W detektorach półprzewodnikowych napięcie polaryzujące, materiał półprzewodnikowy i szczegóły konstrukcji zależą od rodzaju rejestrowanego promieniowania. Do rejestracji kwantów gamma wykorzystuje się duże monokryształy germanu typu p (lub czasem n). W przypadku promieniowania rentgenowskiego oraz cząstek naładowanych (głównie alfa) stosuje się monokryształy krzemu. Krzemowe detektory rentgenowskie są zazwyczaj większej objętości niż detektory cząstek alfa, w których, ze względu na małą przenikliwość cząstek alfa złącze p-n musi znajdować się praktycznie na powierzchni detektora. W celu zmniejszenia szumów detektory kwantów gamma i rentgenowskich chłodzone są zazwyczaj ciekłym azotem, detektory cząstek naładowanych ze względu na mniejsze szumy (mniejszą objętość czynną) pracują w temperaturze pokojowej. W detektorze półprzewodnikowym istnieje obszar (objętość czynna), w którym brak swobodnych elektronów lub dziur przewodzących. Detektory o płaskiej objętości czynnej nazywane są planarnymi, a o symetrii walcowej - koaksialnymi. Cząstka jonizująca przenikająca przez objętość czynną wytwarza tam ładunki, których suma jest proporcjonalna do energii cząstki. Wysokie napięcie polaryzujące diodę (tj. detektor) powoduje dryf ładunków i pojawienie się sygnału prądowego. Ze
względu na proporcjonalność sygnału do energii padającej cząstki detektory
półprzewodnikowe wykorzystuje się w układach spektrometrycznych (promieniowania
alfa, gamma lub rentgenowskiego). Podstawą działania detektora półprzewodnikowego tak jak zostało to opisane, są procesy jonizacji wywołane przez cząstki naładowane w warstwie styku materiałów o przewodnictwie typu n (elektronowym) i typu p (dziurowym). Wskutek oddziaływania cząstki naładowanej przechodzącej przez izolator z elektronami z pasma walencyjnego, część z nich zostaje przeniesiona do pasma przewodnictwa, (co jest procesem podobnym do jonizacji). Pojawienie się nośników prądu w izolatorze powoduje powstanie impulsu napięcia. Impuls ten związany jest zarówno z ruchem elektronów a paśmie przewodnictwa jak i przemieszczaniem się dziur (pozostawionych przez elektrony) w paśmie walencyjnym, co jest równoważne ruchowi ładunku dodatniego. Warunkiem powstania impulsu elektrycznego do pełnej wysokości jest duża wartość iloczynu czasu życia i ruchliwości nośników, tak, aby w czasie swego życia zdołały one dotrzeć do okładek kondensatora (przeszkadzają w tym procesy rekombinacji). To oraz mała odległość pomiędzy pasmami stanowią warunki, jakie musi spełniać materiał nadający się do konstrukcji detektora. (Model pasmowy półprzewodników)* Styk taki, materiałów o przewodnictwie typu n i p, zwany złączem, ma właściwości prostownicze (to znaczy przepuszczająca prąd tylko w jednym kierunku). Dlatego możemy powiedzieć, że detektor półprzewodnikowy jest w zasadzie diodą półprzewodnikową ze złączem zaporowym typu p-n (n-p), położonym tuż przy powierzchni. Aby licznik mógł dobrze spełniać swoje zadanie, warstwa czuła musi być wytworzona bezpośrednio w pobliżu powierzchni licznika, tak, aby cząstka w niej właśnie traciła swoją energię. (Źródło: http://kwark.if.pw.edu.pl/mtj/students/2000-2001/Poszepny/praca_2.htm) Uzyskać to można w różny sposób i odpowiednio do tego rozróżniamy trzy typy detektorów półprzewodnikowych:
(*)Model pasmowy półprzewodników:
Cząstka jonizująca przechodzi przez złącze ->generacja pary (elektron, dziura) ->zbieranie ładunku = impuls (jak w komorze jonizacyjnej) proporcjonalny do ładunku (energii)
- pojemność złącza (wielkość impulsu, stałe czasowe)
c ~ 1/d np. Si (d = 1mm) , c = 10 pF
|