|
PRACOWNIA PÓŁPRZEWODNIKÓW POTRÓJNYCH
Gmach Mechatroniki, ul. Św. A. Boboli 8, 02-525 Warszawa
SKŁAD
prof. dr hab.Rajmund Bacewicz, tel.:660 8227, pok.326, bacr@if.pw.edu.pl - kierownik
dr Jerzy Filipowicz, tel.: 660 8231, pok.333, jfil@mech.pw.edu.pl
dr Małgorzata Igalson, tel.: 660 8214, pok.322, igalson@if.pw.edu.pl
mgr inż Andrzej Kubiaczyk,.tel.: 660 8231, pok.333, kuba@mech.pw.edu.pl
prof. dr hab Rajmund Trykozko, tel.: 660 8628, pok.325, trykozko@mech.pw.edu.pl
dr inż. Paweł Zabierowski, tel.: 660 8214, pok.321, zabier@olimp.if.pw.edu.pl
Doktoranci:
Michał Ćwil, mgr inż., tel.: 660 8214, pok. 321, cwil@if.pw.edu.pl
Agnieszka Malinowska, mgr inż., tel.: 6608227, pok. 326, malinows@if.pw.edu.pl
Daniel Prządo, mgr inż., tel.: 6608227, pok. 326, daniello@if.pw.edu.pl
Anna Twaróg, mgr inż., tel.: 6608227, pok. 326, twaruk@if.pw.edu.pl
TEMATYKA BADAWCZA
Właściwości półprzewodników potrójnych grupy AIBIIICVI2
i ogniw słonecznych na bazie CuInSe2 i CdTe
W obszarze zainteresowań Pracowni znajdują się następujące zagadnienia:
- Technologia kryształów związków potrójnych o strukturze chalkopirytu (CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2 i roztwory stałe), kryształów faz Cu-In-Se z dużą zawartością indu, oraz złączy Schottky'ego
- Struktura atomowa i elektronowa oraz dynamika sieci półprzewodników potrójnych
- Fizyka defektów w materiałach i strukturach fotowoltaicznych - defekty strukturalne decydują o procesach elektronowych w ogniwach słonecznych i warunkują ich sprawność.
Badania prowadzone są metodami optycznymi takimi jak: absorpcja promieniowania synchrotronowego (XANES, EXAFS), fotoprzewodnictwo oraz metodami złączowymi: charakterystyki I-V i C-V, spektroskopia DLTS i Laplace - DLTS i spektroskopia admitancyjna.
W zakresie badań materiałowych prowadzone są prace nad strukturą atomową i elektronową CuInSe2 i materiałów pochodnych, a wśród nich roztworów stałych CuInSe2-CuGaSe2
i CuInSe2-CuInS2 oraz faz układu Cu-In-Se2 z dużą zawartością indu (Cu2In4Se7, CuIn3Se5 i CuIn5Se8 i inne). Używane są techniki optyczne (absorpcja optyczna, luminescencja, rozpraszanie Ramana) a także techniki synchrotronowe, którymi badana jest struktura subtelna rentgenowskich widm absorpcji (XANES i EXAFS).
W badaniu cienkowarstwowych ogniw słonecznych opartych na Cu(In,Ga)Se2 stosowane są metody złączowe do określenia parametrów elektronowych defektów wpływających na transport i rekombinację nośników w obszarze złącza. Prowadzone są także badania metastabilnych procesów zachodzących w złączu pod wpływem oświetlenia i polaryzacji.
Do najważniejszych osiągnięć Pracowni Półprzewodników Potrójnych należą:
- Wyznaczenie lokalnej gęstości stanów pasma przewodnictwa CuInSe2.
- Wyznaczenie niektórych parametrów struktury atomowej i pasmowej faz
z układu Cu-In-Se z dużą zawartością indu.
- Odkrycie metastabilnych stanów defektów w strukturach fotowoltaicznych
CdS/Cu(In,Ga)Se2.
- Rozróżnienie między stanami na międzypowierzchni złącza i w objętości tych struktur.
WSPÓŁPRACA
- HASYLAB-DESY, Hamburg
- LURE, Orsay
- Sheffield Halam University
- Instytut Fizyki PAN
- Institut fur Physikalische Elektronik, Stuttgart Universitat
- Angstrom Solar Center, Uppsala University
PUBLIKACJE
M. Igalson, M. Bodegard, L. Stolt "Reversible changes of the fill factor in the ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cells" Sol. En. Mat & Sol. Cells 80 (2003) 195-207
M. Igalson, P. Zabierowski "Electron traps in Cu(In,Ga)Se2 absorbers of thin film solar cells studied by junction capacitance techniques" Opto-electronics Review 11 (2003) 261-267
R. Bacewicz, J. Filipowicz, S.Podsiadło, T. Szyszko, M. Kamiński "Probing local order in (Ga,Mn)N alloys by X-ray absorption spectroscopy" J. Phys. Chem. Sol. 64 (2003) 1469-72
S. Podsiadlo, T. Szyszko, W. Gębicki, J. Gosk, R. Bacewicz, L. Dobrzycki, K. Woźniak, M. Zajac, A. Twardowski "Synthesis of Bulk Ga1-xMnxN: a Prospective Spintronic Material" Chem. Mater. 15 (2003) 4533-4535
R. Bacewicz, P. Żuk, R. Trykozko "Photoluminescence Study of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cells" Opto-Electronic Review 11 (2003) 277-280
M. Igalson, M. Bodegard, L. Stolt, A. Jasenek "The defected layer and the mechanism of the interface-related metastable behaviour in the ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 devices" E-MRS Spring Meeting Strasbourg 2002, Thin Solid Films 431-432 (2003) 153
M. Igalson, M. Bodegard, L. Stolt "Recombination centers in the Cu(In,Ga)Se2 -based photovoltaic devices" J. Phys. Chem. of Solids 64 (2003) 2041-45
R.Lewandowska, R.Bacewicz, J.Filipowicz "EXAFS Study of In-rich Phases in Cu-In-Se System" Crystal Research and Technology 37 (2002) 189
M. Igalson, M. Wimbor, J. Wennerberg "The change of the electronic properties of CIGS devices induced by the "damp heat" treatment" Thin Solid Films 403-404 (2002) 320
A. Wolska, R. Bacewicz, J. Filipowicz and K. Attenkofer "X-ray absorption near edge structure of selenium in the Cu-In-Se system" Journal of Physics: Condensed Matter 13 (2001) 4457
R. Lewandowska, R. Bacewicz, J. Filipowicz, W. Paszkowicz "Raman scattering in a-In2Se3 crystals" Materials Research Bulletin 36 (2001) 2577
M. Igalson, A. Kubiaczyk, P. Zabierowski, M. Bodegard, K. Granath "Electrical characterization of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 devices with controlled sodium content" Thin Solid Films 387 (2001) 225
P. Zabierowski, U. Rau, M. Igalson "Classsification of the metastabilities in the electrical characteristics of ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 devices" Thin Solid Films 387 (2001) 147
|
|
|
