|
PRACOWNIA STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH TYPU MIS
Gmach Fizyki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
SKŁAD
prof. dr hab. Ireneusz Strzałkowski, tel.:660 7281, strzalk@if.pw.edu.pl - kierownik
dr Marek Kowalski, tel.: 660 7281, marko@if.pw.edu.pl
TEMATYKA BADAWCZA
Fizyka struktur metal-izolator-półprzewodnik (MIS) z wykorzystaniem struktur tranzystorowych typu MOSFET
Tematyka skoncentrowana na badaniu procesów elektronowych w warstwie SiO2 i na międzypowierzchni SiO2 - półprzewodnik: pułapkowanie elektronów i dziur, emisja nośników z pułapek i generacja centrów pułapkowych.
Badania prowadzone z wykorzystaniem metod i technik opartych na pomiarach elektrycznych: technika prądowo-napięciowa (IDS - VSG) z nielawinowym wstrzykiwaniem gorących nośników ładunku do warstwy SiO2 (NIHE), technika izochronalnej, stymulowanej silnym polem elektrycznym emisji elektronów ze stanów pułapkowych (IEFSE) ze wstrzykiwaniem elektronów metodą tunelowania Fowlera-Nordheima (FNTEI), technika pompowania ładunku (CP).
W oparciu o analizę teoretyczną procesów pułapkowania i depułapkowania elektronów i dziur oraz generacji i anihilacji pułapek stwierdzono występowanie w badanych warstwach amorficznych SiO2 oraz na międzypowierzchni SiO2 - Si kilku rodzajów centrów pułapkowych, określając ich koncentracje, przekroje czynne na wychwyt, położenie poziomów energetycznych, rozkład energetyczny gęstości stanów oraz współczynnik generacji. W ramach analizy wzięto pod uwagę procesy: jonizacji zderzeniowej pasmo-pasmo oraz pułapka-pasmo, tunelowania oraz wspomaganej polem elektrycznym emisji pułapka-pasmo, relaksacji grup wodorowych i ich dyfuzji.
Planowane są badania procesów elektronowych w warstwach SiO2 na podłożu SiC, oraz na międzypowierzchni SiO2-SiC. Struktury tego typu zostały zaprojektowane i są aktualnie wytwarzane w Linkoping i w Kista (Szwecja).
Prowadzone badania mają duże znaczenie dla rozwoju mikroelektroniki krzemowej w kierunku ultra-wielkiej skali integracji (ULSI) oraz mikroelektroniki wysokotemperaturowej i dużych mocy, opartej na SiC.
WSPÓŁPRACA
- ACREO AB Silicon Carbide Electronics, Kista, Szwecja
WYBRANE PUBLIKACJE
S. Podsiadło, T. Szyszko, G. Warso, A. Turos, R. Ratajczak, A. Kowalczyk, W. Gębicki, I. Strzałkowski, D. Grambole, F. Hermann "Determination of hydrogen in GaMnN and GaMnMgN by nuclear reaction analysis" Vacuum 70 (2003) 207
C. Jastrzębski, I. Strzałkowski "Reversible and irreversible interface trap centres generated at high electric fields in MOS structures" Microelectronics Reliability 40 (2000) 755-758
I. Strzałkowski, M. Kowalski, "The SiO2 Layer Charge State Variations in the Fowler-Nordheim Tunneling Regime" Acta Physica Polonica A 92 (1997) 585
I. Strzałkowski, M. Kowalski, "Positive and Negative Charge Creation in SiO2 Films of MOS Transistor by High Electric Field Stress" Applied Physics A 63 (1996) 179-182
|
|
|
